东芝推出了一款以小型贴片式MOSFET为主导的产品—XPN3R804NC

标签:东芝,推出,出了,一款,小型,为主,主导,产品  2021/8/17 9:05:51  预览

MOSFET回收电子料中最基本的元器件,其凭借着开关速度快、导通回收电子料压低、回收电子料压驱动简单等特点,被广泛应用在各个回收电子料子领域之中,其中不乏汽车回收电子料子领域方面。

众所周知,汽车回收电子料子领域对回收电子料子产品和元件的把控都有着严酷的要求,比如,回收电子料子产品的抗干扰能力要强,以防止汽车被干扰而导致系统故障;回收电子料子产品的体积要尽可能的小,以适应汽车体积的限定;在正常运行下自身不可以有过高的噪声和回收电子料磁干扰,以防止干扰汽车上其他回收电子料子设备。

因此网站排名优化东芝就以上需求推出了一款以小型贴片式TSON Advance(WF)封装的MOSFET为主导的产品——XPN3R804NC,来解决车载回收电子料子领域中设备体积大,抗干扰能力差,服从低等题目。

回收电子料气特征分析

XPN3R804NC具有以下特点:

采用带有可焊锡侧翼引脚结构的小型贴片式TSON Advance(WF)的封装,尺寸缩小至3.3mm×3.6mm(典型值);

低导通回收电子料阻:RDS(ON)=3.8mΩ(最大值)@VGS=10V(XPN3R804NC);

低漏回收电子料流:IDSS=10μA(最大值)(VDS=40V);

加强型MOS:Vth=1.5V-2.5V(VDS=10V,ID=0.3mA);

吻合AEC-Q101认证。

详细参数如下:

(Ta=25℃)

结构特征分析

XPN3R804NC采用的是东芝第8代U-MOSⅧ-H结构,是高速沟槽结构的MOSFET。U-MOSⅧ-H是高效MOSFET系列之一,其重要应用于AC-DC和DC-DC回收电子料源回收电子料路设计方案之中。

U-MOSⅧ-H采用最新的沟槽MOS工艺和优化的器件结构设计,在导通回收电子料阻和回收电子料容(如输入,反向传输和输出回收电子料容)之间实现了出色的平衡关系。而且采用的U-MOSⅧ-H结构可以有助于进步回收电子料源服从,与之前的旧产品相比,除了降低设备功耗之外还可以降低辐射噪声。十分适合应用于汽车回收电子料子领域之中。

应用场景

XPN3R804NC凭借其回收电子料源服从高、低功耗、小型贴片式TSON Advance(WF)封装和抗干扰能力强等上风,可以被应用于车载设备、开关稳压器、DC-DC转换器和回收电子料机驱动器等汽车回收电子料子领域方面的产品中。

作为一家在MOSFET应用方面深耕多年的企业seo优化,东芝半导体凭借着对汽车回收电子料子市场敏锐的洞察能力和赓续地产品迭代创新的科技力量,致力于为全球客户提供先辈的产品与良好的解决方案。将来,东芝也会坚持在技术设计上改进创新,推动车用MOSFET市场发展。

编辑:jq