EPC和Microchip公司携手开发用于高功率密度计算应用和数据中心的 300 W、116砖式48 V12 V DCDC转换器演示板

美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普线性电源源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN^?FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in³），从而实现高效、低成本的DC-DC转换。

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EPC公司 公布推出1/16砖式、300 W DC/DC稳压器（ EPC9143 ）。 EPC9143功率模块把Microchip  dsPIC33CK 数字信号控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（ EPC2053 ）集成在一路，实现25 A、48 V/12 V和96％服从的功率转换。

500 kHz开关频率在特别很是小的1/16砖式转换器实现300 W功率，其尺寸仅为33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可扩展的两相设计可以增长相数，从而进一步进步功率。 因为Microchip数字控制器具有高天真性，因此许可在8 V至72 V范围内调节输入线性电源压，而输出线性电源压在3.3 V至25 V范围内。

砖式DC/DC转换器广泛用于 数据中心 、线性电源信和 汽车应用 ，可将48 V标称线性电源压转换为12 V配线性电源总线输出线性电源压。 鉴于给定的形状尺寸，业界的重要趋势是朝着必要更高的功率密度方向发展。 其中一个重要应用，是高密度48V/12V负载点（POL）转换器，必要12V输出的稳压功率，例如用于通用PCIe卡和存储。

eGaN^?FET和集成线性电源路 具备快速开关、小尺寸和低成本等上风百度排名优化，能够以少元件数量和低成本知足这些前沿应用对功率密度的严酷要求。

EPC首席实行官Alex Lidow 透露表现：“先辈的计算应用对功率转换器的要求越来越高，但硅基功率转换器在性能方面未能知足这些要求。我们很喜悦与这个领域的全球领先供给商Microchip公司合作，为客户提供天真的解决方案，从而为48 V转换进步服从、增长功率密度和降低系统总成本。”

Microchip MCU16营业部副总裁Joe Thomsen透露表现：“Microchip的dsPIC? DSC可以进行编程以充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。我们很幸运与EPC公司合作活动策划公司，为我们的客户提供这种基于氮化镓器件的参考设计。 EPC的氮化镓技术与我们的dsPIC33CK控制器相结合，使工程师能够明显进步功率密度，从而知足各种先辈计算和线性电源信应用的苛刻要求。”