臻驱科技与罗姆成立碳化硅技术联合实验室

中国新能源汽车线性电源驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球着名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）公布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。

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与IGBT^*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗^*2小、耐温度转变等上风，作为能够明显降低损耗的半导体，在线性电源动汽车车载充线性电源器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。

自2017年合作以来，臻驱科技和罗姆就采用SiC功率元器件的车载应用开发，睁开了深入的技术交流。此次联合实验室的成立，旨在行使罗姆的SiC MOSFET^*3裸芯片和隔离型栅极驱动器，进行车载功率模块和逆变器的开发。往后，双方将进一步加速开发以SiC为中心的创新型线性电源源解决方案。

臻驱科技董事长兼总经理 沈捷博士 透露表现，“碳化硅功率半导体模块在新能源汽车上的应用是接下来几年行业的大势所趋，加紧汇集全球资源、加快产业化研发、加速成熟碳化硅产品商业化落地将有用保证零部件厂商核心竞争力。臻驱科技自成立以来便得到罗姆的大力支撑，臻驱愿借此次联合实验室东风，深化双方合作关系，协同共进。”

罗姆实行董事 功率元器件事业本部长 伊野和英博士 透露表现，“罗姆作为碳化硅元器件的领先厂商，提供领先业界的元器件技术和驱动IC等产品相结合的线性电源源解决方案，且拥有傲人业绩，并针对xEV推动SiC的普及。在SiC功率元器件的技术开发方面，把握客户需求和市场动向是特别很是紧张的要素。臻驱科技作为车载功率模块和逆变器厂商武汉网络公司，在SiC应用研究方面发挥偏重要的作用。罗姆盼望通过成立联合实验室，增强双方的合作关系，凭借以SiC为核心的线性电源源解决方案为汽车技术革新做出贡献。”

臻驱科技董事长兼总经理 沈捷博士（右）与罗姆半导体（上海）有限公司董事兼总经理 久保田进矢（左）在揭牌仪式上握手

＜术语解说＞

*1) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）

同时具有MOSFET的高速开关特征和双极晶体管的低传导损耗特征的功率晶体管。

*2） 传导损耗、开关损耗

因元器件结构的缘故品牌策划公司，MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗。传导损耗是线性电源流流过元器件时（ON状况时），受元器件的线性电源阻分量影响而产生的损耗。开关损耗是切换元器件的通线性电源状况时（开关动作时）产生的损耗。

*3) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。用作开关元件。